電弧深黑技術(shù)
離子過(guò)濾
比例給氣自動(dòng)流量控制器
數(shù)控節(jié)流閥
磁控濺射鍍膜機(jī)
中頻磁控濺射鍍膜技術(shù)是鍍制化合物及氧化物膜的理想設(shè)備，徹底克服了打弧的現(xiàn)象，并且濺射速度快，適合鍍制銦錫合金（ITO），氧化鋁（AL2O3），二氧化硅（SIO2），氧化鈦（TiO2),氮化硅（Si3N4)等，配置多個(gè)靶及膜厚儀可鍍制多種多層復(fù)合膜。
技術(shù)指標(biāo)
1 鍍膜室尺寸:Φ1200 mm X 900 mm 、 Φ1200 mm X 1500 mm、Φ1500 mm X 1200 mm
2 極限真空度:優(yōu)于＜1.3×10-3 pa（冷態(tài)包括轉(zhuǎn)架）
3 排空時(shí)間:（ 冷態(tài)，包括工件架 ）在擴(kuò)散泵已正常工作情況下,從大氣抽至6.6 x 10-3 Pa時(shí)間〈 20min
4 等離子體加速器電弧靶6只+中頻平面靶4只+離子源1只
采用最新開(kāi)發(fā)的距形平面濺射靶:確保顆粒細(xì)膩;幅射均勻;高真空弧光平穩(wěn).
技術(shù)特征 ：
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內(nèi)置加速電場(chǎng)
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恒定高斯的水平磁場(chǎng)
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直接水冷
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采用濺射靶專用電源
5 濺射電源采用我公司獨(dú)有的脈沖濺射專用電源,具有特殊保護(hù)電路裝置.技術(shù)特征:
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中頻孿生靶磁控濺射電源：最有效地杜絕了磁控濺射“靶中毒”的現(xiàn)象，可以在采用純金屬靶材的前提下，制備包括氧化物在內(nèi)的各種化合物薄膜，是取代射頻磁控的先進(jìn)鍍膜方法。同時(shí)可以有效地提高磁控濺射制備的純金屬薄膜的沉積速率，在批量化生產(chǎn)中，提高生產(chǎn)效率
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該電源采用了先進(jìn)的高頻開(kāi)關(guān)技術(shù)，使用最新IGBT器件，具有優(yōu)異的輸出特性和良好的適應(yīng)性。參數(shù)調(diào)節(jié)范圍寬且穩(wěn)定，保護(hù)措施完善合理，具備體積小，重量輕，效率高的優(yōu)點(diǎn)。是雙極孿生對(duì)靶磁控濺射技術(shù)的關(guān)鍵設(shè)備，是鍍ITO膜，介質(zhì)膜，絕緣保護(hù)膜等產(chǎn)品必備的專用電源。
6 工件架轉(zhuǎn)速（內(nèi)6軸外8軸）額定值:公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速4r/mim,自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速15r/min。
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變頻調(diào)速,無(wú)級(jí)漸變,緩起緩?fù)?可換向
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負(fù)重250KG
7 供氣系統(tǒng):兩路（可選配三路或四路）比例給氣自動(dòng)質(zhì)量流量控制.流量500—1000SCCM每路
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自動(dòng)跟隨真空室壓強(qiáng),自動(dòng)調(diào)節(jié)進(jìn)氣量
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每路氣均有質(zhì)量流量顯示
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無(wú)需混氣罐,調(diào)節(jié)無(wú)滯后
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預(yù)設(shè)比例,總量自動(dòng)或手動(dòng)均可
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預(yù)設(shè)強(qiáng)置換功能,生成起步氣沖
8 加熱器輸出功率0-21KW
9 壓強(qiáng)控制:節(jié)流閥;自動(dòng)壓強(qiáng)調(diào)節(jié)
10 設(shè)備總功率:140KVA ,380V，三相四線制
11 溫度測(cè)量方式:熱電偶
表面測(cè)溫方式:紅外測(cè)溫儀（選購(gòu)件）
12 設(shè)備總功率:110KVA max,380伏、三相四線制；
13 溫度測(cè)量方式:熱電偶,可選配紅外測(cè)溫儀
14 設(shè)備總重:4.5t
15 設(shè)備占地面積:6m X 8m
16 冷卻水流量: 2t/hr （進(jìn)水溫度25攝氏度以下，壓力2KG/CM 2）
π形轉(zhuǎn)靶 
石墨弧靶 
線形離子源 
離子滲透 
大功率偏壓電源 
引孤系統(tǒng)改造 